超导Sn$_{1-x}$In$_x$Te薄膜的分子束外延生长

我们报道了关于通过分子束外延生长Sn$_{1-x}$In$_x$Te薄膜以最大化超导转变温度$T_\mathrm{c}$的系统研究。仔细调节Sn、In和Te的束流比使我们能够找到在单一相Sn$_{1-x}$In$_x$Te中将富In含量（$x$ = 0.66）替代Sn位的最优条件，超越了常压下的体溶解度极限（$x$ = 0.5）。$T_\mathrm{c}$对In含量$x$呈穹顶状依赖，最高$T_\mathrm{c}$ = 4.20 K出现在$x$ = 0.55，与体晶体报道一致。调控良好的Sn$_{1-x}$In$_x$Te薄膜可作为一个有用平台，通过将其集成至最先进的结和/或邻近耦合器件中来研究可能的拓扑超导。