分子束外延生长的锡碲化物薄膜中的超导性
超导电性
2025-06-09 v1 材料科学
量子物理
摘要
超导性与铁电性的交汇孕育了广泛的奇异量子现象。在此，我们报道了在高质量锡碲化物薄膜中观察到的超导性，该薄膜通过分子束外延生长。非故意掺杂的锡碲化物在约 100 K 处经历铁电转变。超导临界温度随铟浓度单调增加。然而，超导临界磁场并不遵循临界温度随铟浓度变化的行为，并表现出载流子密度依赖的 Pauli 极限违反。从 McMillan 公式得出的电子-声子耦合随铟浓度呈现系统性增强，表明在高铟浓度下可能存在 BCS 弱耦合的违反。
引用
@article{arxiv.2503.09872,
title = {Superconductivity in tin telluride films grown by molecular beam epitaxy},
author = {Antonio Gonzalez and Samuel J. Poage and Bernardo Langa, and Deepak Sapkota and Salva Salmani-Rezaie and Shalinee Chikara and Michael D. Williams and David A. Muller and Kasra Sardashti and Kaveh Ahadi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.09872},
year = {2025}
}