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离子液体门控同质外延钛酸锶薄膜中的超导穹

超导电性 2026-03-31 v3 介观与纳米尺度物理

摘要

在本工作中,我们通过混合分子束外延 (hMBE) 在 SrTiO3_3 上同质外延生长的 SrTiO3_3 薄膜表面制备了二维电子气 (2DEG)。我们通过离子液体门控调节电子密度,探索了该材料体系中的超导穹。我们在约 3 ×\times 1013^{13} cm2^{-2} 的最佳电子密度附近发现了高达 503 mK 的超导转变。相较于 SrTiO3_3 单晶衬底表面类似 2DEG 中通常约 350 mK 的最佳转变温度,这是一个有意义的提升。对 2DEG 电子密度的系统性调节表明,超导临界温度、相干长度与电子平均自由程之间存在一致的 BCS 标度关系。穹区域内转变宽度的显著变化可通过结合 Aslamazov-Larkin 与 Maki-Thompson 贡献的顺电导模型来描述。

关键词

引用

@article{arxiv.2509.16408,
  title  = {Superconducting Dome in Ionic Liquid Gated Homoepitaxial Strontium Titanate Thin Films},
  author = {Sushant Padhye and Jin Yue and Shivasheesh Varshney and Bharat Jalan and David Goldhaber-Gordon and Evgeny Mikheev},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2509.16408},
  year   = {2026}
}