锗δ掺杂层中的超致密磷
介观与纳米尺度物理
2012-07-25 v1 材料科学
摘要
锗δ掺杂层中的磷是在超高真空中制造的，通过将磷化氢分子吸附到原子级平坦的清洁Ge(001)表面上，随后通过热掺入将P结合进晶格，并通过分子束外延进行Ge外延过生长。结构和电学表征表明，P原子被限制在超窄的2纳米宽层中，且扩散极小，其在4.2 K下的电活性面载流子浓度为4x10^13 cm-2。这些结果为Ge n沟道场效应晶体管开辟了具有前所未有载流子密度的超窄源/漏区的可能性。
引用
@article{arxiv.0912.0751,
title = {Ultra-dense phosphorus in germanium delta-doped layers},
author = {G. Scappucci and G. Capellini and W. C. T. Lee and M. Y. Simmons},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0751},
year = {2012}
}