重掺 n 型锗中施主-空位团簇的溶解
材料科学
2020-10-29 v1
摘要
由于使施主失活的空位-施主复合体（DnV，n <= 4）的形成，Ge 的 n 型掺杂是一个自限制过程。本工作明确证明，在重磷掺杂 Ge 外延层中，主导的 P4V 团簇的溶解可通过约 1050 K 的毫秒级闪光灯退火实现。P4V 团簇溶解使载流子浓度增加三倍以上，同时抑制了磷扩散。电化学电容-电压测量结合二次离子质谱、正电子湮没寿命谱和理论计算，使我们得以解决并理解一个迄今阻碍 Ge 与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术全面集成的基本问题。
引用
@article{arxiv.2010.14985,
title = {Dissolution of donor-vacancy clusters in heavily doped n-type germanium},
author = {Slawomir Prucnal and Maciej O. Liedke and Xiaoshuang Wang and Maik Butterling and Matthias Posselt and Joachim Knoch and Horst Windgassen and Eric Hirschmann and Yonder Berencén and Lars Rebohle and Mao Wang and Enrico Napoltani and Jacopo Frigerio and Andrea Ballabio and Giovani Isella and René Hübner and Andreas Wagner and Hartmut Bracht and Manfred Helm and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.14985},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 5 figures, to be published at New J. Phys