GaN/AlN纳米线异质结构中的长寿命激子
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v2
摘要
GaN/AlN纳米线异质结构可表现出持续至室温的微秒量级光致发光（PL）衰减时间。用Ge掺杂GaN纳米盘嵌入物可将这些PL衰减时间降低两个数量级。这些现象由GaN纳米盘内的三维电场分布解释，该分布具有与自发极化和压电极化相关的几MV/cm范围的轴向分量，以及与晶格应变剪切分量相关的径向压电极化分量。在低掺杂浓度下，电子与空穴在轴向和径向均存在大的分离。比轴向电场小约一个数量级的相对较弱的径向电场会因掺杂而被迅速屏蔽。这种双向屏蔽导致空穴在径向和轴向上向电子下方集中，从而导致PL衰减时间大幅缩短，并伴随发光蓝移。
引用
@article{arxiv.1412.7720,
title = {Long-lived excitons in GaN/AlN nanowire heterostructures},
author = {M. Beeler and C. B. Lim and P. Hille and J. Bleuse and J. Schörmann and M. de la Mata and J. Arbiol and M. Eickhoff and E. Monroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7720},
year = {2015}
}