利用离轴全息术研究 GaN/AlN 纳米线异质结构中的极化场
材料科学
2014-04-11 v1
摘要
在本工作中，我们对通过等离子体辅助分子束外延生长的 GaN/AlN 异质结构纳米线进行了离轴全息术研究。我们讨论了用于电子全息术的纳米线样品的样品制备，并将利用全息术获得的电势分布与投影电势的理论计算相结合，以理解这些纳米结构中的电势分布。讨论了表面态的影响。
引用
@article{arxiv.1404.2823,
title = {Polarization fields in GaN/AlN nanowire heterostructures studied by Off axis holography},
author = {Martien Den Hertog and Rudeesun Songmuang and Eva Monroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.2823},
year = {2014}
}