氧在构建大规模非极性 GaN 纳米线中的影响
化学物理
2015-09-01 v1 材料科学
摘要
对半导体纳米线表面结构进行操控并控制其表面极性，是实现纳米线基电子与光电器件商业化的关键目标之一。我们报道了具有可控且均匀表面形貌和尺寸分布、结构及光学质量异常高的非极性 GaN 纳米线的生长，适用于大规模生产。研究了 O 污染（~1-10^5 ppm）在这些纳米线表面结构中的作用及其可能涉及的机制。在富 O 条件下生长的非极性 GaN 纳米线表现出不均匀的表面形貌和尺寸（50 - 150 nm），而在减 O 条件下生长的样品则具有精确的 40(5) nm 尺寸和均匀的表面形貌。利用电子能量损失谱研究估算了相对 O 含量。在减 O 条件下，还通过使用不同催化剂尺寸展示了尺寸选择性生长均匀纳米线。光致发光研究以及远场亮紫色多重发射斑点的单模波导形成观察，揭示了在减 O 条件下生长的非极性 GaN 纳米线的高光学质量。
引用
@article{arxiv.1508.07425,
title = {Influence of oxygen in architecting large scale nonpolar GaN nanowires},
author = {Avinash Patsha and S. Amirthapandian and Ramanathaswamy Pandian and S. Dhara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.07425},
year = {2015}
}
备注
27 Pages, 8 figure, journal