从不透明衬底上生长的 GaN 纳米线中提取吸收系数
光学
2014-03-03 v1 材料科学
摘要
我们展示了一种测量任何系列纳米线吸收系数的新方法，前提是它们生长在介电常数与纳米线 - 空气基质存在显著差异的衬底上。对于在 Si (111) 衬底上生长的高质量、无应变 GaN 纳米线（密度约为 cm），提取的吸收系数并未表现出相对于体 GaN 值的任何增强，这与文献中的相关主张不同。这可能归因于我们纳米线阵列相对较小的直径、较短的高度以及较高的密度。
引用
@article{arxiv.1402.7318,
title = {Extraction of absorption coefficients from GaN nanowires grown on opaque substrates},
author = {Rahul Jayaprakash and Debo Ajagunna and Savvas Germanis and Maria Androulidaki and Katerina Tsagaraki and Alexandros Georgakilas and Nikos T Pelekanos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.7318},
year = {2014}
}