应变硅纳米线中的光吸收增强：原子尺度研究
介观与纳米尺度物理
2017-07-26 v2
摘要
使用半经验紧束缚（TB）和密度泛函理论（DFT）方法计算了硅纳米线（SiNW）的吸收光谱。讨论了直径、波函数对称性、应变和晶向在决定吸收中的作用。我们发现压缩应变由于波函数对称性的改变可使带边吸收改变一个数量级以上。此外，相对于纳米线轴的光子偏振显著改变带边吸收。总体而言，[110]和[100]硅纳米线的带边吸收可相差多达三个数量级。我们发现，与体硅相比，应变硅纳米线阵列吸收红外光子（1.1 eV）的能力约好一百倍。最后，我们比较了全数值方法和计算高效的半解析方法，发现两者均给出令人满意的带边吸收值。
引用
@article{arxiv.1702.02387,
title = {Photo absorption enhancement in strained silicon nanowires: An atomistic study},
author = {Daryoush Shiri and M. Golam Rabbani and Jianqing Qi and Andrei Buin and M. P. Anantram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02387},
year = {2017}
}
备注
35 Pages, 11 Figures, 2 Tables, 89 references