GaN纳米线阵列自诱导纳米门控引起的石墨烯表面增强拉曼散射
介观与纳米尺度物理
2017-11-30 v2
摘要
研究表明，具有恒定高度的氮化镓（GaN）纳米线上沉积石墨烯时，表现出强烈的拉曼散射增强，而高度可变的纳米线则无法给出此种增强。扫描电子显微镜显示，当GaN纳米线均匀时存在光滑的石墨烯表面，而在具有显著高度差的纳米线上的石墨烯则被最顶端的纳米线刺穿和拉伸。特征拉曼谱带的能量偏移证实，纳米线高度的这些差异对局部石墨烯应变和载流子浓度有显著影响。开尔文探针力显微镜获得的图像清楚地表明，石墨烯中的载流子浓度受纳米线衬底调制并依赖于纳米线密度。因此，在高度相近的GaN纳米线上沉积的石墨烯所观察到的表面增强拉曼散射是由对石墨烯的自诱导纳米门控引发的。然而，未发现增强与石墨烯应变或载流子浓度之间的明确关联。
引用
@article{arxiv.1709.04908,
title = {Surface-enhanced Raman scattering of graphene caused by self-induced nanogating by GaN nanowire array},
author = {Jakub Kierdaszuk and Piotr Kaźmierczak and Rafał Bożek and Justyna Grzonka and Aleksandra Krajewska and Zbigniew R. Zytkiewicz and Marta Sobanska and Kamil Klosek and Agnieszka Wołoś and Maria Kamińska and Andrzej Wysmołek and Aneta Drabińska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.04908},
year = {2017}
}