GaN 纳米线中本征缺陷诱导电声子耦合的光谱学研究
材料科学
2017-07-11 v1
摘要
通过理解纳米结构中电荷载流子与光学激发的耦合，可以实现将先进光电特性集成于 III 族氮化物纳米器件中。本文利用多种光谱学研究报道了 GaN 纳米线中本征缺陷诱导的电声子耦合。具有不同本征缺陷的 GaN 纳米线采用常压化学气相沉积技术生长。X 射线光电子能谱分析揭示了具有可能本征缺陷的纳米线中 Ga/N 比例相对于其生长参数的变化。对拉曼光谱中电声子耦合特征的分析表明，在非故意掺杂的 GaN 纳米线中，载流子密度与迁移率随本征缺陷发生变化。光致发光研究中观察到的施主-受主对跃迁的辐射复合及相应的 LO 声子复制品，进一步强调了本征缺陷在电声子耦合中的作用。
引用
@article{arxiv.1705.05662,
title = {Spectroscopic investigation of native defects induced electron-phonon coupling in GaN nanowires},
author = {Santanu Parida and Avinash Patsha and Santanu Bera and Sandip Dhara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.05662},
year = {2017}
}