GaN 纳米线中的多声子拉曼散射
材料科学
2007-08-17 v1
摘要
紫外拉曼散射研究表明，在纤锌矿结构 GaN 纳米线系统中可观测到高达四阶的纵向光学（LO）模式。电子与离子键合 GaN 长程静电场之间的 Frohlich 相互作用导致了 LO 声子模式的增强。晶体学及发光研究均表明其具有良好的结晶质量，这被认为是产生这一显著现象的原因。结合尺寸修正介电常数计算得出的电子 - 声子相互作用能的尺寸依赖性与测量值吻合良好，并预测在直径低于约 3 nm 时，其相互作用能强于体材料。
引用
@article{arxiv.0708.2229,
title = {Multi-phonon Raman scattering in GaN nanowires},
author = {S. Dhara and Sharat Chandra and G. Mangamma and S. Kalavathi and P. Shankar and K. G. M. Nair and A. K. Tyagi and C. W. Hsu and C. C. Kuo and L. C. Chen and K. H. Chen and K. K. Sriram},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2229},
year = {2007}
}
评论
13 pages, 5 figures, Journal