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纤锌矿半导体中的电子-声子耦合：六方GaN的谷间散射选择定则

材料科学 2013-10-02 v1 强关联电子

作者: K. M. Borysenko , M. El-Batanouny , E. Bellotti

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摘要

给出了纤锌矿结构GaN中电子-声子散射的选择定则。结果针对最低导带（ $\Gamma$ 谷）和第二导带（ $U$ 谷）之间的带间散射获得。这些选择定则基于对GaN中晶体振动的原始群论分析，其中包括所有声子模式的详细相容性关系。

关键词

电子-声子耦合纤锌矿半导体 GaN 谷间散射选择定则群论

引用

@article{arxiv.1310.0079,
  title  = {Electron-Phonon Coupling in Wurtzite Semiconductors: Intervalley Scattering Selection Rules for Hexagonal GaN},
  author = {K. M. Borysenko and M. El-Batanouny and E. Bellotti},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0079},
  year   = {2013}
}

备注

7 pages, 5 figures