具有多谷能带的二硫化锆中电阻率的的第一性原理研究：电子-声子散射的模式分辨分析

基于第一性原理计算，我们研究了二硫化锆 $\text{Zr}_{}\text{S}_{2}$ 和 $\text{Zr}_{}\text{Se}_{2}$ 中电子-声子散射对电阻率的影响，其电子能带结构在导带底具有多个谷。计算所得电阻率呈现非线性温度依赖，尤其对于 $\text{Zr}_{}\text{S}_{2}$，这也在一些 TMDC（如 $\text{Ti}_{}\text{S}_{2}$ 和 $\text{Zr}_{}\text{Se}_{2}$）的实验中被观察到。通过对散射过程贡献的分解，我们发现声学声子的谷内散射在约 50 K 时对电阻率起主要贡献。此外，光学声子的谷内散射贡献甚至在 80 K 以上就占据主导，这一温度相对于其频率而言足够低。相比之下，谷间散射的影响并不显著。我们的研究明确了二硫化锆电阻率中的特征散射通道，为从微观上理解多谷能带系统中的电子输运提供了关键知识。