电子-声学声子场诱导的隧穿散射
材料科学
2015-06-15 v1
摘要
重新考虑了电子-声学单声子散射理论。假设非简并半导体具有球形抛物带结构。该重新考虑的基础是电场微扰势使半导体能带倾斜的现象。此时，电子本征函数既非平面波也非布洛赫函数。在低场下，在弹性碰撞近似下得到了电子带内跃迁概率和散射时间的表达式。分析了散射时间对电子能量和均匀电场的依赖关系。给出了 n-Si 在 300 K 下的相应数值计算结果。确定电子散射时间对电子能量的依赖曲线上没有断裂。
引用
@article{arxiv.1506.03971,
title = {Electron-acoustic phonon field induced tunnel scattering},
author = {S. V. Melkonyan and A. L. Harutyunyan and T. A. Zalinyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03971},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 2 figures