基于\textit{ab initio}量子输运计算的SiC中堆垛层错的电子背散射
材料科学
2012-06-29 v1
摘要
我们在密度泛函理论量子输运计算中研究了3C-和4H-SiC中单层和多层堆垛层错（SF）的相干背散射现象。我们表明，SF在价带和导带内都会产生高度色散的能带，这些能带因其在特定波数子空间中的态密度增强而可区分。由此产生的局域化扰动势显著散射传播的电子波，并强烈增加了型掺杂系统的电阻。我们认为，来自SF的共振散射应该是碳化硅中器件性能退化的主要机制之一。
引用
@article{arxiv.1206.6600,
title = {Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of \textit{ab initio} quantum transport calculations},
author = {I. Deretzis and M. Camarda and F. La Via and A. La Magna},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.6600},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures