Bernal 石墨堆积错位的电子性质
介观与纳米尺度物理
2024-12-10 v1
摘要
我们利用包含全部 Slonczewski-Weiss-McClure 参数的石墨紧密结合模型，计算了黏附于 Bernal 石墨中堆积错位上二维电子态的能谱。我们发现，这些能带保留了楔形单层石墨三层的低能能带特征，实际上代表了该错位的晶格结构。基于对错位层之间电荷和势分布进行自洽分析，我们确定了该二维能带的费米轮廓形状，呈三重袋状，具有空穴状折线色散和费米能级以上的 Dirac 点。我们计算得到的 Shorubnikov-de Haas 振荡频率以及错位束缚电荷载子（在费米能级处）的循环质量，与石墨中相应的体态值有显著差异，这使得此类堆积错位可通过量子输运和循环共振测量被识别。
引用
@article{arxiv.2412.06665,
title = {Electronic properties of stacking faults in Bernal graphite},
author = {Patrick Johansen Sarsfield and Sergey Slizovskiy and Mikito Koshino and Vladimir Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.06665},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 5 figures (main text). 7 pages, 9 figures (supplementary text)