具孪晶界的菱方石墨烯多层膜中电子平带

拓扑保护的平表面带使菱方石墨薄膜成为寻找二维电子强关联态的诱人平台。本工作中，我们研究具孪晶界堆垛缺陷的菱方石墨，并分析局域于表面与孪晶界面的低能带的半金属与拓扑性质。我们推导了有效的4带低能模型，其中实现了完整的Slonczewski-Weiss-McClure（SWMcC）参数集，并找到了带局域于孪晶界且免受环境诱导无序影响的条件。这种保护连同电荷中性点处的高态密度——某些情况下由Lifshitz转变引起——使该系统成为承载强关联效应的有前景候选。