石墨烯上拓扑线缺陷费米能级附近的平带
介观与纳米尺度物理
2012-09-28 v1
摘要
平带在强关联现象（如铁磁性、超导性和分数量子霍尔效应）的研究中起着重要作用。在此，我们报告了在石墨的一维拓扑缺陷中存在费米能级附近平带的直接实验证据，该证据表现为隧穿态密度中的显著峰。我们的 ab initio 计算表明，具有消失费米速度的平带源于缺陷边缘配位不足碳原子的 sp2 悬挂键（具有反键性质）。我们进一步证明，平带的存在可能是边缘具有配位不足碳原子的石墨烯/石墨一维缺陷的普遍行为。
引用
@article{arxiv.1207.1494,
title = {Flat Bands near Fermi Level of Topological Line Defects on Graphite},
author = {Lei Feng and Xianqing Lin and Lan Meng and Jia-Cai Nie and Jun Ni and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.1494},
year = {2012}
}