二维金属-绝缘体相变附近的相干背散射
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
我们研究了硅中低无序二维电子系统在一系列电子密度下（包括先前观察到自旋磁化率急剧增加的金属-绝缘体相变附近）由相干背散射引起的电导率修正。我们表明，存在于金属相更深处的这些修正在接近相变时会减弱，并在临界密度处实际上消失，从而表明在相变处及附近，即使在零场下，局域化也被抑制了。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210008,
title = {Coherent back-scattering near the two-dimensional metal-insulator transition},
author = {Maryam Rahimi and S. Anissimova and M. R. Sakr and S. V. Kravchenko and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210008},
year = {2007}
}
备注
to appear in PRL