高Tc氧化物中的小动量转移电子-声子散射与线性直流电阻率
超导电性
2009-10-30 v1
摘要
我们研究了在具有高Tc氧化物电子拓扑结构的系统中，小动量转移电子-声子散射对直流电阻率的影响。尽管散射主要向前，但由于平坦区域能带的“波动”以及倒逆过程，其对输运的贡献可能很大。当扩展van Hove奇点足够接近时，声学声子支对输运有显著贡献。在这种情况下，即使电子也受到拉曼测量所报道的约500 K的光学声子散射，仍可获得低至10 K温度的线性依赖电阻率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9705085,
title = {Small-q electron-phonon scattering and linear dc resistivity in high-T_c oxides},
author = {G. Varelogiannis and E. N. Economou},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9705085},
year = {2009}
}
备注
LATEX file and 4 Postscript figures