氧化物衬底上 FeSe 薄膜中强前向散射电子-声子相互作用导致的声子线宽
超导电性
2017-08-23 v1
摘要
在多种氧化物衬底上生长的 FeSe 单层中发现增强的超导转变温度 T_c，开辟了通过界面工程实现高温超导的新途径。对观测到的增强效应的一种提议是界面处电子-声子（e-ph）相互作用在小动量转移处达到峰值。本文研究这种耦合对系统声子性质的影响。我们证明，强前向散射会导致声子线形的显著展宽，可能引起长波处的电荷不稳定性。然而，我们进一步发现，考虑库仑屏蔽会显著减小声子展宽。我们的结果表明，尽管 e-ph 相互作用在前向散射（小 q）方向有强峰，但 FeSe 界面系统中可能不会出现异常宽的声子线宽。
引用
@article{arxiv.1703.02013,
title = {Phonon linewidth due to electron-phonon interactions with strong forward scattering in FeSe thin films on oxide substrates},
author = {Yan Wang and Louk Rademaker and Elbio Dagotto and Steven Johnston},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.02013},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 4 figures