超薄FeSe/SrTiO$_{3}$薄膜中厚度依赖的相干声子频率
介观与纳米尺度物理
2015-06-08 v1 超导电性
摘要
生长在SrTiO衬底上的超薄FeSe薄膜由于其在理解铁基材料非常规超导中的重要作用，是原子材料工程最近的里程碑。利用飞秒时间和角分辨光电子能谱，我们研究分子束外延生长的超薄FeSe/SrTiO薄膜中的声子频率。光激发后，我们观察到对于1单位晶胞、3单位晶胞和60单位晶胞厚度的FeSe薄膜，光电子能谱作为泵浦-探测延迟的函数出现周期调制。相干强度振荡的频率从5.00(2)增加到5.25(2) THz，随膜厚增加。与先前工作比较，我们归因此模式为Se A声子。1单位晶胞厚FeSe薄膜中声子软化的主导机制是衬底诱导的晶格应变。我们的结果展示了由于超薄膜与衬底间晶格失配导致的突变声子重整化。
引用
@article{arxiv.1506.01763,
title = {Thickness-Dependent Coherent Phonon Frequency in Ultrathin FeSe/SrTiO$_{3}$ Films},
author = {Shuolong Yang and Jonathan A. Sobota and Dominik Leuenberger and Alexander F. Kemper and James J. Lee and Felix T. Schmitt and Wei Li and Rob G. Moore and Patrick S. Kirchmann and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01763},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 5 figures