FeSe/SrTiO3界面普遍存在的强电子-声子耦合
超导电性
2017-03-08 v1
摘要
单原胞层 (1UC) FeSe 在 SrTiO3 (STO)(001) 上的高温超导电性以及角分辨光电子能谱 (ARPES) 观测到的复制带，引发了如下推测：FeSe 电子与 STO 声子之间的耦合是导致其 Tc 高于其他 FeSe 基超导体的原因1,2。然而，最近在 STO (110) 表面上生长的 FeSe 中观测到类似的超导能隙，提出了类似机制是否适用的问题3,4。在此，我们报道了对生长在 STO(110) 上的 FeSe 电子结构的 ARPES 研究。与 FeSe/STO(001) 的结果类似，观测到了清晰的复制带。我们还对 STO (001) 和 STO(110) 裸表面进行了比较研究，其中光掺杂产生了金属性表面态。观测到了与主带分离约相同能量的类似复制带，表明这种耦合是 STO 表面和界面的一个普遍特征。我们的发现表明，在两种不同 STO 表面终端上生长的 FeSe 薄膜中观测到的大超导能隙，很可能由 FeSe 电子与 STO 声子之间的一种共同耦合所增强。
引用
@article{arxiv.1608.01740,
title = {Ubiquitous strong electron phonon coupling at the interface of FeSe/SrTiO3},
author = {Chaofan Zhang and Zhongkai Liu and Zhuoyu Chen and Yanwu Xie and Ruihua He and Shujie Tang and Junfeng He and Wei Li and Tao Jia and Slavko. N. Rebec and Eric Yue Ma and Hao Yan and Makoto Hashimoto and Donghui Lu and Sung-Kwan Mo and Yasuyuki Hikita and Robert G. Moore and Harold Y. Hwang and Dunghai Lee and Zhixun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.01740},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 4 figures