FeSe/SrTiO3 界面处电子转移及其对超导配对影响的直接成像
超导电性
2017-01-16 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
单层铁硒（FeSe）在 SrTiO3（STO）衬底上相较于块体 FeSe 超导转变温度（Tc）十倍增强的确切机制仍是一个开放问题。本文展示了针对不同厚度 FeSe/STO 薄膜的电输运与低温电子能量损失谱（EELS）测量的协同研究。我们在 FeSe/STO 界面上的 EELS 映射显示了由从 STO 转移到 FeSe 层的电子引起的能带弯曲的直接证据。发现转移的电子仅积聚在靠近 STO 衬底的 FeSe 薄膜前两个原子层内。我们的输运结果表明，从 STO 施加的正背栅在极小改变载流子密度的同时，对提升薄膜的 Tc 尤为有效。我们提出正背栅倾向于将 FeSe 薄膜中转移的电子“拉”向界面，从而进一步增强它们与界面声子的耦合以及 FeSe 薄膜内的电子-电子相互作用，进而导致 FeSe 薄膜中 Tc 的巨大增强。
引用
@article{arxiv.1701.03678,
title = {Direct imaging of electron transfer and its influence on superconducting pairing at FeSe/SrTiO3 interface},
author = {Weiwei Zhao and Mingda Li and Cui-Zu Chang and Jue Jiang and Lijun Wu and Chaoxing Liu and Yimei Zhu and Jagadeesh S. Moodera and Moses H. W. Chan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.03678},
year = {2017}
}
备注
Submitted to Nature Communications on 24th June 2016. Comments are welcome