拓扑绝缘体中 Dirac 费米子受电子-空穴散射限制的输运
介观与纳米尺度物理
2021-07-07 v1
摘要
我们通过实验研究了电子温度对三维拓扑绝缘体 HgTe 的二维 Dirac 表面态输运的影响。我们发现，在最小电导率点附近（此处电子与空穴同时存在），用直流电流加热载流子会导致窄通道的非单调微分电阻。我们表明，观测到的电阻初始增加可归因于电子-空穴散射，而电阻的下降则自然源于载流子费米能的变化。这两种效应主要由体价带中的范霍夫奇点主导。结果证明了带间电子-空穴散射在拓扑绝缘体输运性质中的重要性。
引用
@article{arxiv.2106.03435,
title = {Electron-hole scattering limited transport of Dirac fermions in a topological insulator},
author = {Valentin L. Müller and Yuan Yan and Oleksiy Kashuba and Björn Trauzettel and Mohamed Abdelghany and Johannes Kleinlein and Wouter Beugeling and Hartmut Buhmann and Laurens W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.03435},
year = {2021}
}