拓扑半金属 WTe2 单晶中的电子输运
强关联电子
2023-02-02 v1 其他凝聚态物理
摘要
在 12 至 200 K 温度范围、最高 9 T 磁场下，研究了拓扑半金属 WTe2 单晶的电阻率、磁电阻以及霍尔效应。研究发现，无磁场时的电阻率以及有磁场时的电导率在低温下均呈现二次温度依赖关系，这显然与多种散射机制的贡献有关。采用单带和两带模型分析了霍尔效应与磁电阻数据。这些结果表明存在电子-空穴补偿，且电子载流子略占优势。
引用
@article{arxiv.2302.00297,
title = {Electronic Transport in a Topological Semimetal WTe2 Single Crystal},
author = {A. N. Perevalova and S. V. Naumov and V. V. Chistyakov and E. B. Marchenkova and B. M. Fominykh and V. V. Marchenkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.00297},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 7 figures