HgCr2Se4 中反常霍尔效应的非寻常温度依赖关系
介观与纳米尺度物理
2019-09-04 v3
摘要
在足够低的温度下，许多量子效应，如弱局域化、电子-电子相互作用(EEI)和 Kondo 屏蔽，可对半经典电子输运产生显著修正。尽管纵向电阻率、普通霍尔电阻率和反常霍尔(AH)电阻率的低温修正常被观测到，但三者修正从未在单个样品中同时被探测到。在此，我们报道在 n 型 HgCrSe 中观测到纵向、普通霍尔和 AH 电阻率的 型温度依赖关系，温度可低至至少 20 mK；HgCrSe 是一种可达到极低载流子密度的半金属铁磁半导体。对于具有中等无序的样品，纵向和普通霍尔电导率可很好地由 Altshuler \textit{et al.} 发展的 EEI 理论描述，而对 AH 电导率的大幅修正则与现有理论不符，现有理论分别预言 EEI 和弱局域化对 AH 电导率产生消失和有限的修正。
引用
@article{arxiv.1901.01838,
title = {Unconventional temperature dependence of the anomalous Hall effect in HgCr2Se4},
author = {Shuai Yang and Zhilin Li and Chaojing Lin and Changjiang Yi and Youguo Shi and Dimitrie Culcer and Yongqing Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.01838},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figrues, 1 table