极大磁阻半金属 WTe$_2$ 中的霍尔效应
强关联电子
2015-11-09 v2 材料科学
超导电性
摘要
我们系统地测量了极大磁阻半金属 WTe 中的霍尔效应。通过将霍尔电阻率仔细拟合至双带模型，确定了电子型和空穴型载流子的载流子密度与迁移率的温度依赖关系。我们观察到在 160~K 以下空穴密度突然增加，这可能与先前光电子能谱研究报道的温度诱导的 Lifshitz 相变有关。此外，在 50~K 以下电子密度发生更显著的降低，导致在低温下电子和空穴密度相当。我们的观测表明，在 50~K 以下可能存在电子结构变化，这可能是电子-空穴“补偿”以及极大磁阻的直接驱动力。数值模拟表明，该材料不太可能是一个完美补偿系统。
引用
@article{arxiv.1509.01463,
title = {Hall effect in the extremely large magnetoresistance semimetal WTe$_2$},
author = {Yongkang Luo and H. Li and Y. M. Dai and H. Miao and Y. G. Shi and H. Ding and A. J. Taylor and D. A. Yarotski and R. P. Prasankumar and J. D. Thompson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.01463},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 figures. Supplemental material online