三维HgTe拓扑绝缘体中的热电输运

G. M. Gusev; Z. D. Kvon; A. D. Levin; N. N. Mikhailov

doi:10.3390/nano11123364

三维HgTe拓扑绝缘体中的热电输运

介观与纳米尺度物理 2021-12-14 v1

作者: G. M. Gusev , Z. D. Kvon , A. D. Levin , N. N. Mikhailov

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摘要

实验研究了80纳米厚应变HgTe薄膜作为一种三维拓扑绝缘体(3D TI)的热电响应。观察到双极性热功率，其中费米能量从导带移动到价带体带。理论与实验的比较表明，热功率主要源于声子曳引贡献。在二维狄拉克电子与体空穴态共存的区域内，由于二维电子-三维空穴散射，塞贝克系数被修正。

关键词

热电输运三维拓扑绝缘体 HgTe薄膜声子曳引塞贝克系数狄拉克电子

引用

@article{arxiv.2112.05966,
  title  = {Thermoelectric transport in a three-dimensional HgTe topological insulator},
  author = {G. M. Gusev and Z. D. Kvon and A. D. Levin and N. N. Mikhailov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2112.05966},
  year   = {2021}
}

备注

6 pages, 3 figures

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