基于HgTe的三维拓扑绝缘体的能带结构
介观与纳米尺度物理
2020-10-20 v1 材料科学
摘要
通过回旋共振分析，我们实验获得了基于HgTe薄膜的三维拓扑绝缘体的能带结构。采用顶栅调控以移动薄膜中的费米能级，使我们能够探测到对应于两个相对薄膜界面的表面态、体导带和价带的独立共振模式。实验能带结构与模型的预言相当吻合。由于表面带与体带强杂化，在较宽电子能量范围内表面态的色散接近于抛物线形。
引用
@article{arxiv.2010.09532,
title = {Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator},
author = {J. Gospodaric and V. Dziom and A. Shuvaev and A. A. Dobretsova and N. N. Mikhailov and Z. D. Kvon and E. G. Novik and A. Pimenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.09532},
year = {2020}
}