应变块体HgTe中的表面态自旋纹理：应变诱导的拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2017-01-05 v1
摘要
由于压缩单轴应变导致的带隙打开，使得块体HgTe成为一种强的三维拓扑绝缘体，其任意表面均具有受保护的无能隙表面态。通过采用六带 k·p 模型，我们利用拓扑表面态与系统的镜面陈数以及表面态的轨道组成的紧密关系，确定了应变HgTe的拓扑表面态的自旋纹理。我们表明，在具有C2v点群对称性的表面上，应变大小的增加会触发一个拓扑相变，其中表面态自旋纹理的缠绕数发生翻转，而表征该材料块体能带结构的四个拓扑不变量保持不变。
引用
@article{arxiv.1605.00293,
title = {Surface-state spin textures in strained bulk HgTe: strain-induced topological phase transitions},
author = {Frank Kirtschig and Jeroen van den Brink and Carmine Ortix},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.00293},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 6 figures