应变 HgTe 拓扑表面态的从头算研究
材料科学
2014-10-31 v1
摘要
通过假设不同的应变和表面终止，利用从头算计算研究了碲化汞 (HgTe) 的拓扑表面态。对于 Te 终止表面，在 点存在单个狄拉克锥。当衬底诱导的应变增加时，狄拉克点从体价带向上移动进入能隙。在实验应变值 (0.3%) 下，狄拉克点位于体价带最大值略下方。在上部狄拉克锥中观察到左手自旋织构，类似于 BiSe 型拓扑绝缘体。对于 Hg 终止表面，在排除 点的三个时间反演不变动量处出现三个狄拉克锥，并具有非平凡自旋织构。
引用
@article{arxiv.1404.6085,
title = {Ab initio study of topological surface states of strained HgTe},
author = {Shu-Chun Wu and Binghai Yan and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.6085},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 3 figures