应变碲化汞中表面电子态的结构
介观与纳米尺度物理
2019-04-17 v1
摘要
我们给出描述应变碲化汞（HgTe）块体材料中由导带与价带混合产生的各类表面电子态的理论。我们证明 HgTe 布里渊区中心由应变诱导的能隙导致了两类不同的表面态。第一类表面态存在于布里渊区中心附近电子波矢的小区域内，并具有拓扑态特有的 Dirac 线性电子色散。第二类表面态仅存在于远离布里渊区中心处，并在大波矢下具有抛物线色散。我们在宽泛的参数范围内解析与数值地研究了这些表面电子态的结构，旨在对相关模型哈密顿量建立系统性理解。结果引起了人们对拓扑系统相关丰富表面物理的关注。
引用
@article{arxiv.1904.07653,
title = {Structure of surface electronic states in strained mercury telluride},
author = {O. V. Kibis and O. Kyriienko and I. A. Shelykh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.07653},
year = {2019}
}
备注
Published version. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1903.04572