中文

强关联体系 SmB$_{6}$ 的表面与体电子结构及其对拓扑近藤绝缘体的启示

强关联电子 2013-09-11 v1 材料科学

摘要

最近的理论计算和实验结果表明,强关联材料 SmB6_{6} 可能是拓扑近藤绝缘体的一种实现。我们对 SmB6_{6} 进行了角分辨光电子能谱研究,以阐明与可能出现的拓扑近藤绝缘体态相关的电子结构要素。在整个三维动量空间中获得的电子结构揭示了一个位于体布里渊区 X 点中心的类电子 5d 体能带,该能带与强关联 f 电子发生杂化,并在低温下打开一个近藤能隙(ΔB\Delta_B \sim 20 meV)。此外,我们观察到在表面布里渊区中心 Γˉ\bar{\Gamma} 点和边界 Xˉ\bar{X} 点形成了三个费米面的类电子能带。这些能带在体电子结构计算中并未预期出现,且其观测到的色散特性与表面态一致。我们的结果表明,SmB6_{6} 异常的低温柔输运行为很可能与位于能带杂化隙内的显著表面态和/或拓扑近藤绝缘体态的存在有关。

关键词

引用

@article{arxiv.1306.3678,
  title  = {Surface and Bulk Electronic Structure of the Strongly Correlated System SmB$_{6}$ and Implications for a Topological Kondo Insulator},
  author = {N. Xu and X. Shi and P. K. Biswas and C. E. Matt and R. S. Dhaka and Y. Huang and N. C. Plumb and M. Radovic and J. H. Dil and E. Pomjakushina and A. Amato and Z. Salman and D. McK. Paul and J. Mesot and H. Ding and M. Shi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1306.3678},
  year   = {2013}
}

备注

5 pages, 4 figures