拓扑近藤绝缘体候选材料 SmB6 的表面电子结构：来自高分辨率 ARPES 的见解
强关联电子
2013-06-20 v1
摘要
近藤绝缘体 SmB6 长期以来已知表现出低温（T < 10K）输运异常，最近作为一种新的拓扑绝缘体候选材料引起了关注。通过结合基于激光的角分辨光电子能谱（ARPES）技术的低温和高能量 - 动量分辨率，我们首次探测了反常电导区域的表面电子结构。我们观察到体相能带表现出 14 meV 的近藤能隙，并在该材料 (001) 表面的费米能级 4 meV 窗口内识别出带隙内的低能态。研究发现这些低能态形成了包围表面布里渊区 X 点和 Gamma 点的类电子费米面口袋。当温度升高超过 15K 时，这些态消失，这与 SmB6 中二维电导通道的完全消失相对应。虽然在不进行自旋（自旋纹理）测量的情况下无法确定带隙内金属态的拓扑性质，但我们在输运异常温度区间（T < 10K）进行的体相和表面测量结果，与该材料中拓扑近藤绝缘体相的第一性原理预测费米面行为一致。
引用
@article{arxiv.1306.4634,
title = {Surface electronic structure of a topological Kondo insulator candidate SmB6: insights from high-resolution ARPES},
author = {M. Neupane and N. Alidoust and S. -Y. Xu and T. Kondo and D. -J. Kim and Chang Liu and I. Belopolski and T. -R. Chang and H. -T. Jeng and T. Durakiewicz and L. Balicas and H. Lin and A. Bansil and S. Shin and Z. Fisk and M. Z. Hasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.4634},
year = {2013}
}
备注
4 Figures, 6 Pages