Kondo 绝缘体 SmB6 中表面态及场依赖体隙的磁阻证据
强关联电子
2015-03-30 v3 材料科学
摘要
最近，Kondo 绝缘体 SmB6 在低温下的电阻饱和现象（凝聚态物理中长期存在的谜题）被提出源于拓扑表面态。在此，我们系统研究了 SmB6 在低至 55 Tesla 磁场下的低温磁阻。温度依赖和角度依赖的磁阻均在 5 K 以下表现出类似的交叉行为。此外，不同晶面上的角度依赖磁阻证实了二维表面态是 5 K 以下磁阻交叉行为的起源。基于包含表面态和体态的双通道模型，我们从不同磁场下的温度依赖电阻中提取了具有临界磁场 (Hc) 为 196 T 的体隙的场依赖性。我们的结果提供了一个一致的图像来理解 SmB6 中的低温输运行为，与拓扑 Kondo 绝缘体情景一致。
引用
@article{arxiv.1309.2378,
title = {Magnetoresistance evidence on surface state and field-dependent bulk gap in Kondo insulator SmB6},
author = {F. Chen and C. Shang and Z. Jin and D. Zhao and Y. P. Wu and Z. J. Xiang and Z. C. Xia and A. F. Wang and X. G. Luo and T. Wu and X. H. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.2378},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures