SmB6 中体热力学测量与低温电阻平台的关联
强关联电子
2014-07-25 v2
摘要
拓扑绝缘体是一类具有非平凡能带拓扑特征的材料，其表面态表现为无耗散且自旋极化。近期的理论模型与实验表明，SmB6 是首个拓扑近藤绝缘体，其拓扑非平凡能带结构源于通过近藤杂化产生的电子 - 电子相互作用。在此，我们报道 SmB6 的表面电导率随体相碳含量的增加而系统性地提高。此外，碳的掺入与 n 型载流子浓度的增加、具有特征温标 T* = 17 K 的更大低温电子比热贡献以及向绝缘态转变的展宽相关联。另外，X 射线吸收谱显示表面处的 Sm 价态发生了变化。我们的结果突显了声子动力学在产生近藤绝缘态中的重要性，并证明了 SmB6 的体热力学状态与低温电阻之间存在关联。
引用
@article{arxiv.1403.1462,
title = {Correlation between bulk thermodynamic measurements and the low temperature resistance plateau in SmB6},
author = {W. A. Phelan and S. M. Koohpayeh and P. Cottingham and J. W. Freeland and J. C. Leiner and C. L. Broholm and T. M. McQueen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.1462},
year = {2014}
}