拓扑近藤绝缘体SmB6的模型哈密顿量
材料科学
2015-02-06 v1 强关联电子
摘要
从kp方法出发，结合第一性原理计算，我们系统地推导了最近发现的拓扑近藤绝缘体SmB6的低能带结构的有效哈密顿量。利用这些有效哈密顿量，我们可以获得拓扑表面态的色散和自旋织构，这些可以通过进一步的实验探测。
引用
@article{arxiv.1406.7055,
title = {Model Hamiltonian for topological Kondo insulator SmB6},
author = {Rui Yu and HongMing Weng and Xiao Hu and Zhong Fang and Xi Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.7055},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures