拓扑近藤绝缘体中动态生成的边缘态

近藤绝缘体结合了强电子关联与自旋轨道耦合，从而提供了实现关联拓扑绝缘体的潜在途径。我们提出了模型计算，使我们能够研究从混合价态到局域矩态范围内体相相干性的 onset 及伴随的拓扑边缘态。我们的实空间动力学平均场结果包括了平板几何结构下单粒子谱函数的详细温度依赖性，以及拓扑不变量的温度依赖性。文中讨论了我们的计算对于 SmB6 等候选材料的相关性。