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拓扑Kondo绝缘体理论

强关联电子 2012-02-06 v2 材料科学

摘要

我们研究了当考虑底层晶场多重态的对称性时,Kondo绝缘体的性质如何变化。我们采用Anderson晶格模型并研究其低能物理。我们证明,在一大类晶场构型中,Kondo绝缘体可以发展出拓扑非平凡的基态。这种拓扑Kondo绝缘体绝热地连接到具有非物理大自旋轨道耦合的无相互作用绝缘体,因此可被视为相互作用驱动的拓扑绝缘体。我们通过评估其纠缠谱分析了Kondo绝缘体Anderson晶格模型的纠缠熵。我们的纠缠谱结果与表面态计算结果一致。最后,我们讨论了通用Kondo绝缘体的最大局域化Wannier波函数的构造。

关键词

引用

@article{arxiv.1108.3371,
  title  = {A theory of Topological Kondo Insulators},
  author = {Maxim Dzero and Kai Sun and Piers Coleman and Victor Galitski},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3371},
  year   = {2012}
}

备注

10 pages, 5 figures