拓扑Kondo绝缘体中的不可逆边缘Kondo崩塌
强关联电子
2025-02-05 v2
摘要
Kondo崩塌是强关联电子系统中最引人入胜的问题之一,因为它根植于重费米子材料中发现的许多反常电子行为。在Kondo晶格系统中,Kondo崩塌可由强磁阻挫或集体模式的临界涨落引起。本文中,我们揭示了相互作用拓扑Kondo绝缘体中一种起源完全不同的新型Kondo崩塌。通过采用数值精确的量子蒙特卡洛模拟,我们表明在开放边界条件下,这些系统中的Kondo屏蔽在边缘或角上被相互作用效应不可逆地破坏。我们认为该Kondo崩塌由体系的对称性所强制,因为基态是对称性保护的Haldane相。
引用
@article{arxiv.2110.04467,
title = {Inexorable Edge Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators},
author = {Zhihui Luo and Michel Ferrero and Dao-Xin Yao and Wei Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.04467},
year = {2025}
}
备注
4 figures