拓扑 Kondo 绝缘体中的 Kondo 破缺
强关联电子
2015-05-06 v2
摘要
受 SmB6 中轻表面态观测的启发，我们考察了拓扑 Kondo 绝缘体中表面 Kondo 破缺的效应。我们给出了数值与解析结果，表明表面局域磁矩的解耦扰乱了轻、重电子间的补偿并向 Dirac 锥掺入载流子。这些未补偿表面态的色散由格点间跳跃主导，从而导致轻得多的准粒子。这些表面态对于表面磁性与样品厚度减小的影响也高度鲁棒。
引用
@article{arxiv.1501.03031,
title = {Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators},
author = {Victor Alexandrov and Piers Coleman and Onur Erten},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.03031},
year = {2015}
}
备注
Minor changes, published version