拓扑多带 Kondo 绝缘体中轻重表面态的共存
强关联电子
2016-07-14 v2
摘要
我们分析了强关联对三维拓扑 Kondo 绝缘体表面态的影响。一个重要的观测是，在表面处关联大大增强，导致表面 电子在足够低的温度下被能量限制在费米能附近的一个窄窗口内。这种关联效应与非平凡拓扑相结合有两个显著后果：(i) 低温下轻表面态与重表面态共存。重表面态直接在表面层形成，而轻表面态形成于次近表面层。此外，(ii) 随着温度升高，重表面态变得非相干，仅可观测到轻表面态。因此，轻重表面态共存是强关联与非平凡拓扑相结合的一个显著特征。我们相信这些结果适用于候选拓扑 Kondo 绝缘体 SmB6。
引用
@article{arxiv.1510.06476,
title = {Coexistence of light and heavy surface states in a topological multi-band Kondo insulator},
author = {Robert Peters and Tsuneya Yoshida and Hirofumi Sakakibara and Norio Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.06476},
year = {2016}
}