拓扑近藤绝缘体中的一维边缘态输运
强关联电子
2016-03-04 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑绝缘体具有受时间反演不变微扰保护的金属边界态，是实现奇异量子物态（包括粒子物理预言的各种集体模式激发，如马约拉纳费米子和轴子）的一条充满希望的途径。理论预测表明，拓扑绝缘态不仅可出现在具有强自旋轨道耦合的弱相互作用系统中，也可出现在由强电子关联驱动的绝缘体中。近藤绝缘体化合物 SmB6 是实现这种奇异物态的理想候选者，其巡游传导电子与局域 -电子之间的杂化在低温下驱动了绝缘能隙和金属表面态的形成。在此，我们利用 SmB6 中存在的表面铁磁性，通过研究极低温下的磁输运性质来探究金属表面态的拓扑本质。我们发现了一维表面输运的证据，其电导量子化为 ，源于铁磁畴壁的手性边缘通道，这为 SmB6 中存在拓扑非平庸表面态提供了有力证据。
引用
@article{arxiv.1312.6132,
title = {One-dimensional edge state transport in a topological Kondo insulator},
author = {Yasuyuki Nakajima and Paul Syers and Xiangfeng Wang and Renxiong Wang and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.6132},
year = {2016}
}
备注
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