Kondo绝缘体SmB6中的本征一维导电通道
强关联电子
2021-09-16 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
自50年前作为Kondo绝缘体被发现以来，SmB6近期因在绝缘态中探测到意外量子振荡、发现抗无序体输运以及关联驱动拓扑物理的提议而重获关注。尽管近期输运结果将反常低温导电归因于二维表面态，但诸如位于一维位错线中的导电通道等重要替代解释尚未得到充分探索。在此，我们利用扫描微波阻抗显微镜研究SmB6，并揭示了终止于表面台阶边缘的一维导电态的证据。这些态在室温下仍保持导电，表明其具有不同寻常的抗散射鲁棒性及非常规起源。我们的结果揭示了SmB6中此前未检测到的导电路径，该路径对低温输运有贡献。这种在高度绝缘关联体相中本征一维导电通道的独特情形提供了一个可能承载奇异物理的一维平台。
引用
@article{arxiv.2106.00112,
title = {Intrinsic one-dimensional conducting channels in the Kondo insulator SmB6},
author = {Ke-Jun Xu and Mark Barber and Eric Yue Ma and Jing Xia and Monica Ciomaga Hatnean and Geetha Balakrishnan and Jan Zaanen and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.00112},
year = {2021}
}
备注
Upon further follow-up studies, we discovered additional data in different parameter spaces that weakened our arguments. While this does not preclude the existence of 1-D conducting states, we feel that our previous supporting arguments are rendered ineffective, and we must suspend and withdraw our manuscript at this point