SmB6 表面态中的弱反局域化与线性磁阻
强关联电子
2016-11-15 v1
摘要
强关联近藤绝缘体 SmB6 以其奇特的低温剩余导电性而闻名，最近已被证实源于鲁棒的金属表面态，正如拓扑近藤绝缘体 (TKI) 理论所预测的那样。光电子能谱、量子振荡和磁性掺杂实验为类狄拉克色散和拓扑保护提供了证据。由此产生的问题是：自旋 - 动量锁定和电子相互作用的特征是否能在输运测量中被分辨出来。在此，我们报道了表面态在低至 mK 温度下的金属导电性，其饱和行为暗示了近藤效应。我们在表面态中观察到了弱反局域化 (WAL) 效应，这与自旋 - 动量锁定的金属表面一致。在较大的垂直磁场下，表面态表现出异常的线性磁阻，类似于在 Bi 基拓扑绝缘体和石墨烯中发现的现象。(通讯作者：[email protected])
引用
@article{arxiv.1307.4133,
title = {Weak Antilocalization and Linear Magnetoresistance in The Surface State of SmB6},
author = {S. Thomas and D. J. Kim and S. B. Chung and T. Grant and Z. Fisk and Jing Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.4133},
year = {2016}
}