SmB6薄膜中磁输运揭示的稳健表面态
强关联电子
2015-07-23 v1
摘要
SmB6已被预测并证实为拓扑Kondo绝缘体(TKI)的原型。本文报道了对共溅射纳米晶SmB6薄膜的纵向磁阻和霍尔系数测量，并试图寻找其拓扑性质的可能特征。2 K下的磁阻(MR)在低场下为正且呈线性(LPMR)，在较高场下变为负且呈二次型。负的部分源于Zeeman劈裂导致的杂化能隙减小，而正的依赖关系则与其他拓扑绝缘体(TI)中观察到的现象类似。我们得出结论：LPMR是TI的特征，与Dirac锥附近的线性色散相关。霍尔电阻在约50 K处出现符号改变。在约10 K处达到峰值并变为非线性，随后在10 K以下降低。这表明具有相反符号的载流子在50 K以下出现。两片具有不同几何形状（厚度和横向尺寸）的薄膜在50 K上下表现出截然不同的行为，证明了这些薄膜中低温载流子的表面起源。磁阻和霍尔数据的温度依赖性表明表面态很可能是非平庸的。
引用
@article{arxiv.1502.00547,
title = {Robust Surface States indicated by Magnetotransport in SmB6 Thin Films},
author = {Jie Yong and Yeping Jiang and Xiaohang Zhang and Jongmoon Shin and Ichiro Takeuchi and Richard L. Greene},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.00547},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 4 figures