拓扑晶体绝缘体 SnTe (111) 薄膜中的弱反局域化
介观与纳米尺度物理
2014-12-23 v1
摘要
我们通过分子束外延 (MBE) 生长了具有原子级光滑表面的拓扑晶体绝缘体 (TCI) SnTe 单晶薄膜。在磁阻 (MR) 测量中，我们在 2 - 3 K 的最低温度下观察到零磁场附近既有正分量也有负分量，而在 6 - 10 K 的较高温度下仅观察到负 MR。正 MR 归因于通过拓扑表面态 (SS) 输运的弱反局域化 (WAL)，证明了对于拓扑 SS 至关重要的 贝里相位，而负 MR 归因于通过体态（二维体子能带）输运的弱局域化 (WL)。从将观测到的正 MR 拟合到 Hikami-Larkin-Nagaoka 方程推导出的前置因子 的绝对值远小于根据 SS 输运通道数量预期的值，表明 SS 与体态之间存在耦合。
引用
@article{arxiv.1408.4226,
title = {Weak antilocalization in (111) thin films of a topological crystalline insulator SnTe},
author = {Ryota Akiyama and Kazuki Fujisawa and Ryutaro Sakurai and Shinji Kuroda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.4226},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 5 figures